图书介绍

硅中缺陷与器件质量 半导体材料学进展译文集【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

硅中缺陷与器件质量 半导体材料学进展译文集
  • 王儒全等译 著
  • 出版社： 轻工业出版社
  • ISBN：15042·1538
  • 出版时间：1980
  • 标注页数：180页
  • 文件大小：13MB
  • 文件页数：184页
  • 主题词：

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图书目录

目录1

硅材料特性和器件功能之间的关系1

硅衬底中的缺陷13

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅰ．磷扩散诱生失配位错39

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅱ．Si3N4工艺46

用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅲ．缺陷腐蚀坑与P-N结漏电流的关系55

硅中氧化诱生堆垛层错一、成核现象63

硅中氧化诱生堆垛层错二、在P-N结二极管中的电效应77

硅中硅氧化物的非均相沉淀98

退火硅表面的堆垛层错109

硅器件中工艺诱生缺陷和软P-N结之间的关系117

硅片退火对环状缺陷产生的影响122

堆垛层错对场效应管器件漏电流的影响133

硅光导型摄象管中晶格缺陷引起的图象损坏138

吸收和位错146

显示〈100〉硅晶体缺陷的化学腐蚀的比较155

显示硅单晶中缺陷的一种新的择优腐蚀液163

封闭舟：一种硅片成批处理的新方法171

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